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IPD60R750E6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數量:
 5650  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 5.7A
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IPD60R750E6 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD60R750E6BTMA1 IPD60R750E6XT SP000801094
功率耗散:48 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.68 Ohms
漏極連續電流:5.7 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD60R750E6的詳細信息,包括IPD60R750E6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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