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IPD30N08S222

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 8451
說明：: MOSFET

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IPD30N08S222 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：30 ns
功率耗散：136 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：21.5 m Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD30N08S222的詳細信息，包括IPD30N08S222廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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