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IPD12N03LB G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 3213  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 30A
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IPD12N03LB G-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

IPD12N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:18 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:5 ns
功率耗散:52 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :43 S / 21 S
下降時間:2.6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):17.7 m Ohms
漏極連續(xù)電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD12N03LB G的詳細(xì)信息,包括IPD12N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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