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IPD03N03LA G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 3944  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 90A
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IPD03N03LA G-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

IPD03N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:42 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:10 ns
功率耗散:115 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :113 S / 56 S
下降時間:6.6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.1 m Ohms
漏極連續電流:90 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD03N03LA G的詳細信息,包括IPD03N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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