色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<rt id="4cme2"></rt>

<button id="4cme2"></button>

<rt id="4cme2"></rt>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 7110
說明：: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

一、本商品被瀏覽0次.

IPB80N06S2LH5ATMA4 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：190 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.7 毫歐 @ 80A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：55 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB80N06S2LH5ATMA4的詳細(xì)信息，包括IPB80N06S2LH5ATMA4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ