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IPB50CN10N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2593
說明：: MOSFET N-CH 100V 20A

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IPB50CN10N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB50CN10NGATMA1 IPB50CN10NGXT SP000277696
典型關(guān)閉延遲時間：14 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：4 ns
功率耗散：44 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.049 Ohms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB50CN10N G的詳細(xì)信息，包括IPB50CN10N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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