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IPB180N06S4-H1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-7-3
數(shù)量：: 4693
說明：: MOSFET N-Channel 60V MOSFET

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IPB180N06S4-H1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB180N06S4H1ATMA1 IPB180N06S4H1ATMA2 SP000415562
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TO263-7-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.7 mOhms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB180N06S4-H1的詳細(xì)信息，包括IPB180N06S4-H1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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