色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB100N04S303

IPB100N04S303

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 4626
說明：: MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPB100N04S303 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：46 ns
上升時間：16 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 m Ohms
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB100N04S303的詳細信息，包括IPB100N04S303廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1