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IPB085N06L G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 1584
說明：: MOSFET N-CH 60V 80A

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IPB085N06L G-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IPB085N06L G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB085N06LGXT
典型關閉延遲時間：53 ns
上升時間：19 ns
功率耗散：188 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0085 Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB085N06L G的詳細信息，包括IPB085N06L G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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