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IPB06N03LA

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 3879
說明：

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IPB06N03LA PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2653 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 40μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.9 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：25 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB06N03LA的詳細(xì)信息，包括IPB06N03LA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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