色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPB042N10N3GE818XT

IPB042N10N3GE818XT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數(shù)量：: 4167
說明：: MOSFET OptiMOS Power Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

IPB042N10N3GE818XT PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：E8187 G IPB042N10N3 IPB042N10N3GE8187ATMA1
典型關(guān)閉延遲時間：48 ns
上升時間：59 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：88 nC
下降時間：14 ns
封裝形式：PG-TO263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.2 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB042N10N3GE818XT的詳細(xì)信息，包括IPB042N10N3GE818XT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ