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IPB038N12N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3
數量:
 1501  
說明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPB038N12N3 G-TO-263-3圖片

IPB038N12N3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GXT SP000694160
工廠包裝數量:1000
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:158 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :165 S, 83 S
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.8 mOhms
漏極連續電流:120 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:120 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB038N12N3 G的詳細信息,包括IPB038N12N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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