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IMBD4448-G3-18

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 SOT-23-3
數(shù)量:
 3330  
說明:
 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
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IMBD4448-G3-18-SOT-23-3圖片

IMBD4448-G3-18 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:SOT-23-3
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:2.5 μA @ 70 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):4 ns
速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
電流 - 平均整流 (Io):150mA
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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