色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IKD10N60RFAATMA1

IKD10N60RFAATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 5976
說明：: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3

一、本商品被瀏覽0次.

IKD10N60RFAATMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：72 ns
測試條件：400V，10A，26 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：12ns/168ns
柵極電荷：64 nC
輸入類型：標準
開關能量：190μJ（開），160μJ（關）
功率 - 最大值：150 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：30 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：溝道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IKD10N60RFAATMA1的詳細信息，包括IKD10N60RFAATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

FF300R08W2P2B11ABOMA1

FP15R12KE3GBPSA1

FP15R12KT3BPSA1