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IGD10N65T6ARMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 6815
說明：: IGD10N65T6ARMA1

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IGD10N65T6ARMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：-
測試條件：400V，8.5A，47 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：30ns/106ns
柵極電荷：27 nC
輸入類型：標準
開關能量：200μJ（開），70μJ（關）
功率 - 最大值：75 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，8.5A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：42.5 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：23 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：不適用于新設計
包裝：TrenchStop?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IGD10N65T6ARMA1的詳細信息，包括IGD10N65T6ARMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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