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IDWD10G120C5XKSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO247-2
數(shù)量:
 3195  
說明:
 DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2
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IDWD10G120C5XKSA1-PG-TO247-2圖片

IDWD10G120C5XKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:PG-TO247-2
封裝/外殼:TO-247-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:730pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:80 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.65 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io):34A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolSiC?+
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是IDWD10G120C5XKSA1的詳細信息,包括IDWD10G120C5XKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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