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IDP08E65D1XKSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-220-2
數(shù)量:
 3141  
說明:
 DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
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IDP08E65D1XKSA1-TO-220-2圖片

IDP08E65D1XKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-220-2
封裝/外殼:TO-220-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:40 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr):80 ns
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是IDP08E65D1XKSA1的詳細(xì)信息,包括IDP08E65D1XKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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