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IDK10G120C5XTMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-2-1
數量:
 3047  
說明:
 DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1
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IDK10G120C5XTMA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:PG-TO263-2-1
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:525pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:18 μA @ 1200 V
反向恢復時間 (trr):-
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.8 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io):31.9A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:CoolSiC?+
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

以上是IDK10G120C5XTMA1的詳細信息,包括IDK10G120C5XTMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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      IDK10G65C5

      肖特基二極管與整流器 Silicon Carbide SiC Schottky Diode; 650V 10A; D2PAK

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