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IDH12G65C6XKSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-2
數量:
 3069  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2
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IDH12G65C6XKSA1-PG-TO220-2圖片

IDH12G65C6XKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:PG-TO220-2
封裝/外殼:TO-220-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:594pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:40 μA @ 420 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.35 V @ 12 A
電流 - 平均整流 (Io):27A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是IDH12G65C6XKSA1的詳細信息,包括IDH12G65C6XKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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