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IDH08G65C5XKSA2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-2-1
數量:
 3159  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-1
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IDH08G65C5XKSA2-PG-TO220-2-1圖片

IDH08G65C5XKSA2 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:PG-TO220-2-1
封裝/外殼:TO-220-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:250pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:140 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:CoolSiC?+
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是IDH08G65C5XKSA2的詳細信息,包括IDH08G65C5XKSA2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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