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HUF75829D3

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數量:
 6075  
說明:
 MOSFET 150V NCh PowerMOSFET UltraFET
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HUF75829D3-I-PAK圖片

HUF75829D3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:53 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:30 ns
功率耗散:110 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.11 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HUF75829D3的詳細信息,包括HUF75829D3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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