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中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫歐 @ 100mA, 5V
漏極至源極電壓(Vdss):55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:-
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:4.3nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :290pF @ 28V
功率 - 最大:50W
安裝類型:通孔
以上是HTNFET-D的詳細信息,包括HTNFET-D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!