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HS8K1TB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 HSML3030L10
數量:
 11032  
說明:
 30V NCH+NCH POWER MOSFET
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HS8K1TB-HSML3030L10圖片

HS8K1TB PDF參數資料

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中文參數如下:

封裝封裝/外殼:8-UDFN 裸露焊盤
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:2W(Ta)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):348pF @ 15V,429pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V,7.4nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):14.6mOhm @ 10A,10V,11.8mOhm @ 11A,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):10A(Ta),11A(Ta)
漏源電壓(Vdss):30V
FET 功能:-
配置:2 N-通道(雙)
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是HS8K1TB的詳細信息,包括HS8K1TB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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