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HS8K11TB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 HSML3030L10
數(shù)量:
 8957  
說(shuō)明:
 MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
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HS8K11TB-HSML3030L10圖片

HS8K11TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

封裝封裝/外殼:8-UDFN 裸露焊盤
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:2W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):500pF @ 15V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):11.1nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):17.9 毫歐 @ 7A,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7A,11A
漏源電壓(Vdss):30V
FET 功能:邏輯電平門
配置:2 N-通道(雙)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是HS8K11TB的詳細(xì)信息,包括HS8K11TB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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