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HP8S36TB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-HSOP
數量：: 6633
說明：: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

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HP8S36TB PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-PowerTDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：29W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6100pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：47nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 32A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：27A，80A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：2 個 N 通道（半橋）
技術：-
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是HP8S36TB的詳細信息，包括HP8S36TB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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