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HP8M51TB1

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-HSOP
數量:
 6597  
說明:
 HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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HP8M51TB1-8-HSOP圖片

HP8M51TB1 PDF參數資料

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中文參數如下:

封裝封裝/外殼:8-PowerTDFN
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:3W(Ta)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):600pF @ 50V,1430pF @ 50V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V,26.2nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):170mOhm @ 4.5A,10V,290mOhm @ 4.5A,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.5A(Ta)
漏源電壓(Vdss):100V
FET 功能:-
配置:N 和 P 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor

以上是HP8M51TB1的詳細信息,包括HP8M51TB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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