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HN3C10FUTE85LF

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 US6
數(shù)量:
 6581  
說(shuō)明:
 RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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HN3C10FUTE85LF-US6圖片

HN3C10FUTE85LF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
功率 - 最大值:
封裝封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
工作溫度:-
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V
功率 - 最大值:200mW
增益:11.5dB
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.1dB @ 1GHz
頻率 - 躍遷:7GHz
電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V
晶體管類(lèi)型:2 NPN(雙)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是HN3C10FUTE85LF的詳細(xì)信息,包括HN3C10FUTE85LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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