點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
集電極連續(xù)電流：+ / - 150 mA
封裝形式：2-2J1A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120
增益帶寬產(chǎn)品fT：150 MHz, 120 MHz
集電極—射極飽和電壓：0.1 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：+ / - 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：+ / - 50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V, - 50 V
晶體管極性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN1B04FU-GR(L,F,T)的詳細(xì)信息，包括HN1B04FU-GR(L,F,T)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

NHUMH1X

EMD52T2R

RN1703,LF

NHUMB1F

NHUMD3F

NHUMH1F

RN1906FE,LF(CT

NSVMUN5334DW1T1G

NSVMUN5211DW1T2G

SMUN5335DW1T1G