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HGTG10N120BND_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-247-3
數量:
 2781  
說明:
 IGBT 晶體管 35A 1200V N-Ch
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HGTG10N120BND_Q PDF參數資料

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中文參數如下:

安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續電流 Ic:35 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:298 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流:35 A
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.45 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:否
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGTG10N120BND_Q的詳細信息,包括HGTG10N120BND_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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