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HGT4E20N60A4DS

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-247-3
數量:
 2754  
說明:
 IGBT 晶體管 TO-268
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HGT4E20N60A4DS PDF參數資料

中文參數如下:

安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續電流 Ic:70 A
封裝形式:TO-247-3
最大工作溫度:+ 150 C
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT4E20N60A4DS的詳細信息,包括HGT4E20N60A4DS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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