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HGT1S20N36G3VL

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數量：: 1314
說明：: IGBT 晶體管 20A 360V Clamp

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HGT1S20N36G3VL PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：50
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 40 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：37.7 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262AA-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：150 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：26 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 10 V
集電極—射極飽和電壓：1.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：395 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S20N36G3VL的詳細信息，包括HGT1S20N36G3VL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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