色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-227B
數量：: 1197
說明：: IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series

一、本商品被瀏覽0次.

HGT1N30N60A4D PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：HGT1N30N60A4D_NL
工廠包裝數量：10
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：96 A
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227-4
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：225 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流：96 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1N30N60A4D的詳細信息，包括HGT1N30N60A4D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

FF300R08W2P2B11ABOMA1

FP15R12KE3GBPSA1

FP15R12KT3BPSA1