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HER306GT-G

廠家:
  Comchip Technology
封裝:
 DO-27
數(shù)量:
 6525  
說(shuō)明:
 DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
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HER306GT-G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:DO-27
封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:5 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):75 ns
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Comchip Technology

以上是HER306GT-G的詳細(xì)信息,包括HER306GT-G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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