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HER303GT-G

廠家:
  Comchip Technology
封裝:
 DO-27
數量:
 6498  
說明:
 DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
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HER303GT-G PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:DO-27
封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 200 V
反向恢復時間 (trr):50 ns
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
技術:標準
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Comchip Technology

以上是HER303GT-G的詳細信息,包括HER303GT-G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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