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HBDM60V600W-7

廠家：
  Diodes Inc.
封裝：
 SOT-363
數(shù)量：
 7524  
說明：
 兩極晶體管 - BJT 200mW Half H-Bridge
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HBDM60V600W-7-SOT-363圖片

HBDM60V600W-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
認(rèn)證機構(gòu)：
封裝封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：65V，60V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500mA，600mA
晶體管類型：NPN，PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Diodes Incorporated

以上是HBDM60V600W-7的詳細(xì)信息，包括HBDM60V600W-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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