色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

廠家：: SemiQ
封裝：: TO-3PN
數(shù)量：: 1008
說明：: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

一、本商品被瀏覽0次.

GPA030A135MN-FDR PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：450 ns
測試條件：600V，30A，5 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：30ns/145ns
柵極電荷：300 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：4.4mJ（開），1.18mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：329 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1350 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：SemiQ

以上是GPA030A135MN-FDR的詳細信息，包括GPA030A135MN-FDR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：