中文參數(shù)如下:
工廠包裝數(shù)量:800
功率耗散:62.5 W
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.013 Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是GFB50N03\31B的詳細(xì)信息,包括GFB50N03\31B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!