點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：TO-220FP
封裝/外殼：TO-220-2 整包
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：42pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 3300 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 300 mA
電流 - 平均整流 (Io)：300mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3300 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態：不適用于新設計
包裝：SiC Schottky MPS?
系列：管件
品牌：GeneSiC Semiconductor
以上是GAP3SLT33-220FP的詳細信息，包括GAP3SLT33-220FP廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
