色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > GA04JT17-247

GA04JT17-247

廠家：: GeneSiC Semiconductor
封裝：: TO-247AB
數(shù)量：: 4059
說(shuō)明：: MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A

一、本商品被瀏覽0次.

GA04JT17-247 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：73 ns
上升時(shí)間：28 ns
功率耗散：91 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：500 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor

以上是GA04JT17-247的詳細(xì)信息，包括GA04JT17-247廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ