色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > FZ800R12KF4

FZ800R12KF4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: IHM130
數量：: 486
說明：: IGBT 模塊 1200V 800A SINGLE

一、本商品被瀏覽0次.

FZ800R12KF4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：8
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：IHM130
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：5.4 KW
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：800 A
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual Common Emitter Common Gate
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是FZ800R12KF4的詳細信息，包括FZ800R12KF4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

相近型號推薦

FZ800R12KF5
IGBT 模塊

FZ800R12KL4

FZ800R12KL4C
IGBT 模塊 1200V 800A SINGLE

FZ800R12KS4_B2
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.2KA

FZ800R16KF4
IGBT 模塊 1600V 800A SINGLE

FZ800R17KF4C
IGBT 模塊

FZ800R17KF6C_B2
IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA

FZ800R17KF6C-B2
IGBT 模塊 1700V 800A SINGLE

FZ800R33KF2C
IGBT 模塊 3300V 800A SINGLE

FZ800R33KL2C
IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA

FZ800R33KL2C_B5
IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA

FZ900R12KE4
IGBT 模塊 1200V 900A