色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<bdo id="wysye"></bdo>

<pre id="wysye"></pre>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > FXT757STZ

FXT757STZ

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: TO-92
數量：: 8172
說明：: 兩極晶體管 - BJT -

一、本商品被瀏覽0次.

FXT757STZ PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

包裝形式：Box
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1000 mW
直流電流增益 hFE 最大值：40 at 10 mA at 5 V
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產品fT：30 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：300 V
集電極—基極電壓 VCBO：300 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是FXT757STZ的詳細信息，包括FXT757STZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：