色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FS100R17N3E4BOSA1

FS100R17N3E4BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 5617
說明：: IGBT MOD 1700V 100A 600W

一、本商品被瀏覽0次.

FS100R17N3E4BOSA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：9 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，100A
功率 - 最大值：600 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FS100R17N3E4BOSA1的詳細信息，包括FS100R17N3E4BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

F3L150R07W2H3B11BPSA1

MIP25R12E1TN-BP

FP35R12N2T7B11BPSA1