色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

FQU9N08LTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 IPAK
數量:
 3564  
說明:
 MOSFET
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
FQU9N08LTU-IPAK圖片

FQU9N08LTU PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:13 ns
上升時間:180 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.21 Ohms
漏極連續電流:7.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQU9N08LTU的詳細信息,包括FQU9N08LTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 贵阳市| 兰坪| 靖边县| 兴山县| 阿鲁科尔沁旗| 龙口市| 张掖市| 尼玛县| 天柱县| 深圳市| 吴堡县| 贵州省| 闽清县| 十堰市| 精河县| 苏尼特左旗| 双柏县| 万源市| 大荔县| 丽水市| 诸暨市| 潍坊市| 尼玛县| 宁河县| 苏尼特右旗| 黑河市| 吴桥县| 罗城| 通州市| 铁岭市| 湾仔区| 广州市| 富源县| 洮南市| 墨脱县| 神农架林区| 定日县| 济宁市| 恩施市| 汽车| 永善县|