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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：70
上升時間：30 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.6 Ohms
漏極連續電流：2.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是FQU3N60CTU的詳細信息，包括FQU3N60CTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
