色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

FQU19N10LTU

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 IPAK
數量：
 3357  
說明：
 MOSFET
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
FQU19N10LTU-IPAK圖片

FQU19N10LTU PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 ns
上升時間：410 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：140 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.1 Ohms
漏極連續電流：15.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU19N10LTU的詳細信息，包括FQU19N10LTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 徐闻县| 大连市| 嘉荫县| 遂平县| 镶黄旗| 馆陶县| 五家渠市| 克东县| 临潭县| 皋兰县| 随州市| 三江| 武夷山市| 皋兰县| 东阿县| 利川市| 牟定县| 外汇| 西畴县| 嘉峪关市| 黔江区| 淮南市| 金堂县| 安阳市| 观塘区| 云阳县| 锦州市| 福海县| 鹤岗市| 茶陵县| 河东区| 崇仁县| 勃利县| 仪征市| 宁蒗| 西城区| 昌平区| 积石山| 金川县| 昂仁县| 文安县|