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FQS4900TF_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 3267
說明：: MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET

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FQS4900TF_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：11 ns, 35 ns
上升時間：21 ns, 25 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.7 S, 0.6 S
下降時間：17 ns, 47 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.39, 11.2 Ohms
漏極連續電流：1.3 A, - 0.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+ 60 V / - 300 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQS4900TF_Q的詳細信息，包括FQS4900TF_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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