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FQPF8N80CXDTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220F
數(shù)量：: 3240
說明：: MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQPF8N80CXDTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：110 ns
功率耗散：59 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：70 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220F
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.55 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQPF8N80CXDTU的詳細信息，包括FQPF8N80CXDTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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