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FQPF6N80CT

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220F-3
數量：: 3334
說明：: MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series

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FQPF6N80CT PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：47 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：65 ns
功率耗散：51 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5.4 S
下降時間：44 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220F
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.5 Ohms
漏極連續電流：5.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQPF6N80CT的詳細信息，包括FQPF6N80CT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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