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FQI19N10LTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數量：: 2412
說明：: MOSFET

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FQI19N10LTU PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 ns
上升時間：410 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：140 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.1 Ohms
漏極連續電流：19 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI19N10LTU的詳細信息，包括FQI19N10LTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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