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FQD2N80TM_WS

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 7506  
說明:
 MOSFET 800V N-Channel QFET
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FQD2N80TM_WS-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

FQD2N80TM_WS PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:30 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:28 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.3 Ohms
漏極連續電流:1.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQD2N80TM_WS的詳細信息,包括FQD2N80TM_WS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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